Entwicklung neuer Bauteile aus Galliumnitrid mit Millionenbeitrag unterstützt.
Silizium ist seit Jahrzehnten der Rohstoff der Wahl bei der Herstellung von Computerchips. Die immer stärkere Miniaturisierung und die zugleich größer werdende Rechenleistung werden das Halbleitermaterial früher oder später jedoch an seine Grenzen führen. Neue Materialien sind daher gesucht. Ein solches ist Galliumnitrid (GaN). Das aus Gallium und Stickstoff bestehende Halbleitermaterial kommt bereits in der 5G-Funktechnologie zum Einsatz, da es hohe Temperaturen ohne Leistungsverlust aushält.
An der Weiterentwicklung von GaN-Chips arbeitet unter anderem der Auftragshersteller Globalfoundries (GF) aus Malta im US-Bundesstaat New York. Das Unternehmen kann sich nun über eine finanzielle Förderung von mit 30 Millionen US-Dollar aus Bundesmitteln freuen, wie GF und der US-Senator Patrick Leahy bekanntgegeben haben. Das Geld soll unter anderem den Kauf neuer Werkzeuge und die Ausweitung der Fertigung ermöglichen, heißt es in der Pressemitteilung. GF könne damit zum Marktführer bei GaN-Chips werden, die auch in Elektrofahrzeugen und anderen Hochleistungsanwendungen zum Einsatz kommen.
Die USA unterstützen die heimische Halbleiterforschung, -entwicklung und -produktion unter anderem mit dem im August ratifizierten US Chips and Science Act und wollen so weniger abhängig vom Import dieser kritischen Bauteile werden.
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